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필요한 곳만 도핑하는 공정기술 개발…성능 '260배' 상승
“필요한 곳만 쏙쏙 도핑” 구조 손상없이…‘2차원반도체’ 성능 260배 높였다
2차원 반도체 손상 없이 저전압 구동 260배 끌어올린 도핑 공정 개발
2차원 반도체 손상 없이 선택 도핑…KAIST, 저전압 성능 최대 260배 향상
2차원 반도체 안 망가뜨리고 '선택 도핑'…전류 최대 260배[과학을읽다]